摘要
半导体物理与技术是现代通信和信息处理的基础。但随着半导体器件集成度的提高,功耗和散热问题成为未来电子器件的障碍。半导体电子自旋为低功耗的信息处理和存储提供了新的自由度。半导体量子结构中的自旋轨道耦合为全电控的半导体自旋器件提供了物理基础。半导体量子结构中的自旋轨道耦合不仅具有重要的应用价值，同时导致形形色色的自旋相关的量子效应，它可以把维度效应、关联效应和能带结构结合起来，诱导出新量子相。 在本次报告中，我们将结合我们的工作讨论在近年来在半导体量子结构中呈现出的自旋轨道耦合及其诱导的量子效应和量子相；例如：1，半导体极性界面对能带的调控； 2，自旋轨道耦合效应及其诱导的规范场和自旋霍尔效应； 3，半导体量子阱中库仑关联引致的激子绝缘相。
报告人简介
常凯，中国科学院半导体研究所研究员，2000年入选中科院百人计划，2004年度获得国家自然科学二等奖，2005年度杰出青年基金获得者。2013年度获得中国物理学会黄昆固体物理和半导体物理科学奖。长期从事半导体基础物理研究，曾任2013年第17届窄能隙半导体物理会议主席； 2016年第33届国际半导体物理大会（ICPS-33）程序委员会主席。
