Colloquium
外尔半金属TaAs和TaP在磁场下的电输运性质

日期:2016-05-18 阅读:1251

摘要

近年来发现的以TaAs,TaP 为代表的外尔半金属材料为研究固体中电子的拓扑性质开拓了一个新的领域。外尔半金属是一种电子的体态和表面态具有特殊对应关系的无能隙拓扑量子材料。和拓扑绝缘体相比,外尔半金属具有更加奇异的费米面:在它的表面具有不相连的费米弧,这些费米弧连接在体态的成对的外尔点上。而外尔点可以看作是自旋非简并的半个迪拉克电子。最近的研究工作相继发现TaAs等材料的表面费米弧,超高的电子迁移率,巨大的磁电阻以及手性反常等等有趣的物理性质。而TaAs 等外尔半金属材料的发现也被Physics World评为2015度物理学十大进展之一。

本次报告主要介绍我们在磁场下对TaAs,TaP等材料的一些测量结果。除了巨磁阻和纵向负磁阻等现象,我重点介绍它们在强磁场下的一些有趣性质。当TaP中的外尔电子被强磁场局限在最低的郎道能级时,我们观测到它的霍尔信号发生了反转,同时伴随着明显的台阶状行为。我们认为这是一种磁场诱导的相变,这个过程中一部分外尔电子被束缚在强磁场下的一个新的相中。

报告人简介

贾爽,北京大学量子材料中心研究员。本科毕业于北京大学物理系,2008年获得爱荷华州立大学物理学博士学位,2008-2012年在普林斯顿大学化学系从事博士后研究工作。2012年至今在北京大学量子材料中心工作。主要从事探索和合成新型电子材料的工作,包括强关联电子系统,拓扑绝缘体/半金属和新型热电材料等。2007年至今共发表学术论文50余篇,引用超过1600次。

邀请人:贾金锋 jfjia@sjtu.edu.cn


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